افشین رشید _ علوم و تحقیقات تهران

کلاس درس گروه برق - افزاره های میکرو و نانو الکترونیک/ دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

تبلیغات تبلیغات

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید . نکته: در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند.
در صورتی که این صفحه دارای محتوای مجرمانه است یا درخواست حذف آن را دارید لطفا گزارش دهید.

مطالب پیشنهادی

آخرین مطالب سایر وبلاگ ها

پیوندها