افشین رشید _ علوم و تحقیقات تهران

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید . نکته: در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند.

ادامه مطلب

بررسی ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور های CMOS)

بررسی ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور های CMOS) پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید نکته : نانو ترانزیستورهای CMOS با نیمه هادی های ترکیبی خصوصاً نانو لوله ها ترکیب میشوند ساختار ترکیبات نانو الکترونیکی شایـد ادوات اُپتیکـی و الکترونیـک نوری بیشترین بهـره را از این ترکیبـات نیمـه هادی ببرنـد. علـت اصلـی هـم امکـان مهندسـی گـاف انـرژی در این ترکیبـات بر خـلاف سیلیکـون اسـت. نانو لوله هـای کربنی لوله هایی هستنـد که دیواره آن گرافین است.

ادامه مطلب

وبلاگ های پیشنهادی