افشین رشید _ علوم و تحقیقات تهران

کلاس درس گروه برق - افزاره های میکرو و نانو الکترونیک/ دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

تبلیغات تبلیغات

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si

بررسی ساختار و ساختمان داخلی (نانو ترانزیستور) اثر میدان گرافنی Si پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید . نکته: در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند.
در صورتی که این صفحه دارای محتوای مجرمانه است یا درخواست حذف آن را دارید لطفا گزارش دهید.

مطالب پیشنهادی

آخرین مطالب سایر وبلاگ ها

جستجو در وبلاگ ها